于广辉,男,1970年11月出生。1993和1996年在吉林大学电子工程系获学士和硕士学位,1999年7月中科院长春物理所获博士学位,1999年9月-2002年3月日本千叶大学博士后,2002年4月至今为中国科学院上海微系统所副研究员、研究员、博士生导师、第二研究室副主任。在博士后工作期间,对氮化物半导体物理、材料MOCVD和MBE生长和LED器件的制备等各个方面都进行了广泛的研究,并于2001年获得了日本千叶大学的“Nanohana competition” 奖。从2002年至今作为课题负责人承担国家863、973、国家自然科学基金、上海市国际合作课题、上海市自然科学基金课题、上海市白玉兰人才基金、中科院支撑课题、国家重大专项等多项课题。目前主要研究领域集中在氢化物汽相外延(HVPE)法制备GaN自支撑衬底、低维GaN材料与器件、用于GaN材料制备的HVPE设备研制以及石墨烯材料的制备及相关设备开发等研究。共发表论文40余篇,申请发明专利15项,其中已授权10项。

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